ЛАБОРАТОРИЯ моделирования физических процессов (НИИ ППМИ БГУ)
Научная тематика НИЛ моделирования физических процессов включает в себя -
Моделирование кинетики электронных и атомных процессов в конденсированных средах; -
Моделирование процессов взаимодействия излучения с твердым телом; -
Моделирование элементов квантоворазмерных устройств информатики.
-
David Menichelli, Affolder A., Aleev P.P., …, Makarenko L.F. et al., Recent developments of the CERN RD50 collaboration, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Volume 596, Issue 1, 21 2008, Pages 48-52 -
Makarenko L.F., F.P. Korshunov, S.B. Lastovskii, L.I. Murin, M. Moll,, DLTS Studies of Carbon Related Complexes in Irradiated N- and P-Silicon// Solid State Phenomena, 2009, Vols. 156-158, pp 155-160. -
F. Makarenko, S.B. Lastovski, F.P. Korshunov, L.I. Murin, M. Moll, Primary defect transformations in high-resistivity p-type silicon irradiated with electrons at cryogenic temperatures, Physica B: Condensed Matter, Volume 404, Issues 23-24, 15 December 2009, Pages 4561-4564. -
Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Формирование и диффузия собственных междоузельных атомов в кристаллах кремния при гидростатическом давлении: квантово-химическое моделирование. Поверхность. – 2009. – № 8. С.1-5. -
-
Макаренко Л.Ф. Влияние потенциала изображения на энергию ионизации водородоподобного центра, расположенного вблизи границы раздела двух сред. «Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук», 2009 г., № 1. с. 39-44. -
V. Gusakov, V. Belko, N. Dorozhkin, Formation and Diffusion of Self-Interstitial Atoms in Silicon Crystals under Hydrostatic Pressure: Quantum-Chemical Simulation.. Journal Of Surface Investigation-X-Ray Synchrotron And Neutron Techniques, 2009, V. 3, Is.4, p. 634-638. -
Junkes A., Eckstein D., Pintilie I., Makarenko L.F., Fretwurst E. Annealing study of a bistable cluster defect//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Volume 612, Issue 3, 11 January 2010, Pages 525-529. -
-
J. Metcalfe, Affolder A., Aleev P.P., …, Makarenko L.F. et al., Silicon Detectors for the sLHC, Nuclear Physics B - Proceedings Supplements, Volume 215, Issue 1, 2011, Pages 151-153. -
Макаренко Л. Ф., Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Mурин Л И., МоллМ. Особенности диффузии собственных междоузельных атомов в кремнии p-типа// Доклады НАН Беларуси, 2011, т. 55, № 3, с. 49-54. -
Affolder A., Aleev P.P., …, Makarenko L.F. et al., Silicon detectors for the sLHC. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment Volume 658, Issue 1, 1 December 2011, Pages 11-16. -
Gusakov Vasilii. Coefficient of Diffusion in Crystals of Si1-xGex : Role of Preexponential Factor // Solid State Phenomena. 2011. Vol.178-179, P. 94-99. -
В. Е. Гусаков. Квантовохимический анализ особенностей диффузии в кристаллах твердых растворов Si(1-x)Ge(x), // Доклады НАН Беларуси, 2011, N2, С.47-52. -
Burenkov, M. Sekowski, V. Belko and H. Ryssel. Angular distributions of sputtered silicon at grazing gallium ion beam incidence // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Volume 272, 1 February 2012, Pages 23-27. -
L.F. Makarenko, M. Moll, J.H. Evans-Freeman, S.B. Lastovski, L.I. Murin, F.P. Korshunov Kinetics of self-interstitials reactions in p-type silicon irradiated with alpha particles// Physica B: Condensed Matter, Volume 407, Issue 15, 2012, Pages 3016-3019. -
V.P. Markevich, A.R. Peaker, B. Hamilton, S.B. Lastovskii, L.I. Murin, J. Coutinho, A.V. Markevich, M.J. Rayson, P.R. Briddon, B.G. Svensson Reconfigurations and diffusion of trivacancy in silicon// Physica B: Condensed Matter, Volume 407, Issue 15, 2012, Pages 2974-2977. Список докладов на конференциях с разбивкой по категориям (приглашенный, устный, стендовый): -
Л. Ф. Макаренко, Ф. П. Коршунов, С. Б. Ластовский Свойства кластеров дефектов в высокоомных кремниевых диодах, облученных реакторными нейтронами/ XVIIIМеждународное совещание «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 7-12 июля 2008 г. 6 стр. -
Л. Ф. Макаренко, Ф. П. Коршунов, С. Б. Ластовский, Хиврич В.И. Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицами/III-я международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники», 25-26 сентября 2008 г., Минск, 2008, с. 109-112. -
Н.М. Казючиц, М.С. Русецкий, А.С. Шуленков, В.Н. Казючиц. Применение синтетических монокристаллов алмаза для дозиметрии гамма-излучений. International conference "Radiation interaction with material and its use in technologies 2008", Kaunas, Lithuania 24-27 September, 2008, P. 92-95. -
В.И. Белько, Л.Ф. Зимянин, О.М. Кондратьева. Моделирование собственных дефектов в кремнии с использованием параллельной реализации метода молекулярной динамики. Современные информационные компьютерные технологии MCIT-2008. Гродно, Беларусь. 21 – 24 апреля 2008 г., 5 стр. -
Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. / III-я международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники», 25-26 сентября 2008 г., Минск, 2008, с. 5 стр. -
L.F. Makarenko, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, I. Pintilie, G. Lindström, E. Fretwurst,Problems in evaluation of defect cluster parameters from DLTS measurements of silicon detectors irradiated with neutrons/ 3 rd Workshop on Defect Analysis in Silicon Detectors, Hamburg, 17-19April 17-19, 2008// http://sesam.desy.de/WODEAN/defect.analysis.workshop.april.2008.html -
M.K. Bleka, G. Davies, D. Eckstein, E. Fretwurst, E. Gaubas, A. Junkes, P. Kaminskid, K. Kaska, V. Khomemkov, G. Kramberger, J. Lange, G. Lindström, L. Makarenko, D. Menichelli, M. Moll, R. Mori, L. Murin, M. Pawlowski, I. Pintilie, B. Surma, B.G. Svensson, J. Vaitkus, J. Zelazko Quantitative effects of neutron irradiation on silicon radiation detectors/ 12th RD50 - Workshop on Radiation hard semiconductor devices for very high luminosity colliders Ljubljana, Slovenia, 2-4 June 2008/ http://rd50.web.cern.ch/rd50/12th-workshop/ -
E. Fretwurst, A. Junkes, L. Makarenko, I. Pin tilie Study of cluster related effects in n-irradiated Epi-Do and MCz diodes/ 12th RD50 - Workshop on Radiation hard semiconductor devices for very high luminosity colliders Ljubljana, Slovenia, 2-4 June 2008/ http://rd50.web.cern.ch/rd50/12th-workshop/ -
Л. Ф. Макаренко, Ф. П. Коршунов, С. Б. Ластовский, Н.М. КазючицВлияние примеси кислорода на электрические свойства кластеров дивакансий в кремнии, облученном нейтронами / V Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе/ 1-4 июля 2008 года, Черноголовка, Тез. докл., ИГ «Граница», с . 120. -
Н.М. Казючиц, А.С. Шуленков, Т.Д. Ковалева, Л. Ф. Макаренко, Б.Д. Алехно Реализация светоихлучающих диодов, световодов и фотодиодов на основе кремния / V Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе/ 1-4 июля 2008 года, Черноголовка, Тез. докл., ИГ «Граница», с . 263. -
Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Макаренко Л.Ф., Хиврич В.И. «Проявление эффекта дальнодействия в кремниевых структурах, облученных альфа-частицами» VІ Міжнародная школа – конференція «Актуальні проблеми фізики напівпровідників » Дрогобич, Україна, 23 – 26 вересня 2008 року, Тези доповідей, с.202-203. -
Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Квантовохимическое моделирование формирования и диффузии собственных междоузельных атомов в напряженных кристаллах кремния // Межд. научн. конф. «Кремний-2008», Россия, Черноголовка, 1-4 июля 2008 г -
Макаренко Л.Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Мурин Л.И., Молл М. Образование и отжиг дефектов решетки в кремнии p-типа, облученном электронами при криогенных температурах // Труды 8-ой Межднар. Конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом», 23–25 сентября 2009 года, Минск, Беларусь, 2009, с. 101-103. -
Макаренко Л. Ф., Казючиц Н.М., Латушко Я.И., Скуратов В.А., Голубев Н.Ф. Применение емкостных методов для изучения дефектообразования в кристаллах кремния, облученных тяжелыми ионами/ Труды 8-ой Межднар. Конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом», 23–25 сентября 2009 года, Минск, Беларусь, 2009, с.. 98-100. Стендовый доклад. -
Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Моделирование формирования кластеров собственных дефектов в облученном кремнии: кинетический метод Монте-Карло // 8-ая Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом», Минск, 26-28 сентября 2009 г. С.47-51. Стендовый доклад. -
Гусаков В.Е., Белько В.И., Дорожкин Н.Н. Influence of hydrostatic pressure on formation of Frenkel pairs and diffusion of self-interstitial in Si: quantum chemical simulation // Сборник докладов международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела», ФТТ-2009, Минск, 20-23 октября 2009 г., С.6-8. -
Н.М. Казючиц, М.С. Русецкий, А.С. Шуленков, В.М. Кукушкин, С.С. Мартынов, В.С. Хрунов, Ю.В. Тузов, Г.В. Гацкевич, Д.С. Кандыбович Применение синтетического алмазного детектора для измерения параметров радиационного поля радиотерапевтических установок // Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids, (ВИТТ-2009): Материалы 8-й Международной конференции ", Минск, 23-25 сентября 2009 г. – Мн.: БГУ, 2009. - С. 326-328. Стендовый доклад. -
Л.Ф. Макаренко , А.В. Киндяев, Расчет энергетического спектра электрона в поле кулоновского центра, расположенного в полупространстве// Вторая международная научная конференция «Математическое моделирование и дифференциальные уравнения»: Тез. докл. Ч. 1. Минск, 24 -28 августа 2009 г. – Мн.: Институт математики НАН Беларуси, 2009. – С. 61-62. -
L.F. Makarenko, S.B. Lastovski, F.P. Korshunov, L.I. Murin, M. Moll Primary defect transformations in high-resistivity p-type silicon irradiated with electrons at cryogenic temperatures// 25th International Conference on Defects in Semiconductors, July 20-24, 2009, St. Petersburg, Russia, p. 175. Стендовый доклад. -
L.F. Makarenko, J. H. Evans-Freeman, S.B. Lastovski, I. Pintilie, V.A.Skuratov Use of dlts measurements to determine defect cluster parameters in ion and neutron irradiated semiconductors // 25th International Conference on Defects in Semiconductors, July 20-24, 2009, St. Petersburg, Russia, p. 203. Стендовый доклад. -
-
V. E. Gusakov, V. I. Belko, N. N. Dorozhkin. Formation of Frenkel pairs and diffusion of self-interstitial in Si under normal and hydrostatic pressure: quantum chemical simulation // 25th International Conference on Defects in Semiconductors. St Petersburg, Russia, July 20–24, 2009 г., С. 184-185. -
Белько В.И. Моделирование эволюции собственных дефектов в кремнии // Вторая международная научная конференция «Математическое моделирование и дифференциальные уравнения»: Тез. докл. Ч. 1. Минск, 24 -28 августа 2009 г. – С. 25-27. -
Макаренко Л. Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С. Б., Мурин Л.И., Карась В.И., Молл М. Обнаружение пар Френкеля и собственных междоузельных атомов в кремнии p-типа, облученном электронами //Международное совещание «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 7-12 июля 2010 г., с. 619-625. -
Малыщиц В.В., Сокольский А.А., Пицевич Г.А., Макаренко Л.Ф., Алгоритм численного решения одномерного стационарного уравнения Шредингера и его применение // II Международная научно-практическая конференция «Современные информационные компьютерные технологии (mcIT-2010)». Гродно, Беларусь. 26-28 апреля 2010 г. (6 стр). -
Малыщиц В.В., Макаренко Л.Ф., Пицевич А.Г., Сокольский А.А.Эффективный алгоритм численного решения одномерного уравнения Шедингера и его применение в образовательном процессе // Информатизация образования — 2010: педагогические аспекты создания информационно-образовательной среды = Informatization of education — 2010: Pedagogical aspects of the development of information educational environment: материалы междунар. науч. конф., Минск, 27–30 окт. 2010 г. / редкол.: И.А. Новик (отв. ред.) [и др.]. — Минск: БГУ, 2010. — 591 с. — 14–18 С. -
Макаренко Л. Ф., Молл М., Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Мурин Л. И. Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном бором //Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 сент. 2010 г. / редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2010. – 242 с. – (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). – С. 161-164. -
Кондратьева О.М. Параллельная реализация алгоритма молекулярной динамики при моделировании в физике твердого тела // II Международная научно-практическая конференция «Современные информационные компьютерные технологии (mcIT-2010)». Гродно, Беларусь. 26 – 28 апреля 2010 г. (3 стр). -
В.Е. Гусаков, В.И. Белько, Н.Н. Дорожкин. Потенциал EDIP для германия: параметризация и моделирование точечных дефектов методом молекулярной динамики // Материалы IV международной научной конференции «Материалы и структуры современной электроники» Минск, БГУ, 23-24 сентября 2010 г. c. 23-25. -
-
-
В.А. Скуратов, Н.М. Казючиц, Я.И. Латушко, Л.Ф. Макаренко, С.Б. Ластовский «Дефектообразование в кремнии, имплантированном ионами инертных газов с энергией мэв/нуклон // Тезисы докладов VII Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Нижний Новгород, 6-9 июля 2010 г., Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета, 2010. с. 167. . Стендовый доклад. -
L.F. Makarenko, M. Moll, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, L.I. Murin «Self-interstitial reactions in electron and ion irradiated silicon» //Тезисы докладов VII Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Нижний Новгород, 6-9 июля 2010 г., Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета, 2010. с. 22. -
Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Поиск параметров эмпирического потенциала для германия в функциональной форме EDIP // 4 Международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники» БГУ, г.Минск, сентябрь 2010 г. -
-
Макаренко Л. Ф., Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Mурин Л И.Закономерности образования радиационных дефектов, связанных с междоузельным углеродом в облученных кремниевых структурах// Международное совещание «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 23-27 августа 2011 г. -
Ластовский С.Б., Маркевич В.П., Мурин Л.И.Трансформация электрически активных радиационных дефектов в сплавах Si1-xGex n-типа, облученных быстрыми электронами при 80 К// Международное совещание «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 23-27 августа 2011 г. -
Makarenko L.F., Lavrova O.A. Shallow donor states near semiconductor interface//Международная конференция «Междисциплинарные исследования и технологии будущего», 16 – 18 мая 2011 г., Минск, Беларусь, Программа и тезисы докладов, с. 21. -
Макаренко Л. Ф., Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Mурин Л. И., МоллМ.Кинетика образования комплекса междоузельный углерод-междоузельный кислород в облученном кремнии n- и р-типа// VIII Международная конференция и VII Школа ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («КРЕМНИЙ‑2011») -
L.F. Makarenko, M. Moll, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, L.I. Murin Kinetics of self-interstitials reactions in p-type silicon irradiated with alpha particles// 26th International Conference on Defects in Semiconductors, Nelson, New Zeeland, 17-22 july 2011, p. -
Макаренко Л.Ф., Лаврова О.А., Левчук Е.А. Состояния мелких доноров вблизи границы МОП-структуры, Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2011): Сборник докладов Международной научной конференции (Минск 18-21 октября 2011 г.), в 3 т., ред. колл.: Н.М. Олехнович (пред.) и др. – Мн.: А.Н. Вараксин, 2011. – Том 1, с. 91-93. -
Л.Ф. Макаренко, С.Б. Ластовский, Л.И. Мурин, Ф.П. Коршунов, Н.М. Казючиц, Я.И. Латушко Характеристики междоузельных реакций в кремнии и кремний-германиевых сплавах, облученных альфа-частицами / Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2011): Материалы 9-й Международной конференции ", Минск, 20-22 сентября 2011 г. – Мн.: Издательский центр БГУ, 2011. - с. 141-143. -
.М. Казючиц, Е.В. Наумчик, В.Н. Казючиц, М.С. Русецкий, Л.Ф. Макаренко, А.С. Шуленков. Основные характеристики СТМ Алмазот и детекторов на его основе / Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2011): Материалы 9-й Международной конференции ", Минск, 20-22 сентября 2011 г. – Мн.: Издательский центр БГУ, 2011. - с. 412-414. -
Vasilii Gusakov, J. Gusakova, V. P. Markevich, Quantumchemical analysis of the formation energy and migration barrier of intrinsic point defects in silicon nanowires // Proc. of Int. Conf. Nanomeeting-2011, 24-27 May 2011, Minsk, Belatus. – P. 142-145. -
V. P. Markevich, A. R. Peaker, L. I. Murin, S. B. Lastovskii, Diffusion of small vacancy clusters and their interaction with oxygen atoms in silicon// Proc. of Int. Conf. Nanomeeting-2011, 24-27 May 2011, Minsk, Belatus. – P. 169-172. -
Белько В.И, Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Моделирование начальных стадий формирования кластеров собственных дефектов в кристалле кремния // Материалы V Международной научной конференции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА», Минск, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, 18-21 октября 2011 г.- T.2. - С.274 -276 -
Гусаков В. Е. Белько В.И Дорожкин Н.Н. Квантовохимическое исследование начальных стадий роста нанокластеров германия на свободной поверхности кремния // Материалы V Международной научной конференции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА», Минск, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, 18-21 октября 2011 г. T.1. - С.198-200 -
В.И. Белько, В.Е. Гусаков, Н.Н. Дорожкин. Разномасштабное моделирование формирования кластеров собственных дефектов в кремнии // Материалы 9-ой Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом" (ВИТТ-2011). Минск 20-22 сентября 2011 г. С.297-299. -
Белько В.И, Бородин В.А., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Моделирование роста вакансионных комплексов: комбинированный алгоритм, включающий метод молекулярной динамики и кинетический метод Монте-Карло // Международная научная конференция «Кремний-2011» (Москва, 05-08 июля 2011 г., НИТУ «МИСиС»). Стендовый доклад. -
Макаренко Л.Ф., Ластовский С.Б., Абросимов Н.В., Казючиц Н.М., Гуринович В.А. Свойства дефектов междоузельного типа в кремний-германиевых сплавах, облученных альфа-частицами // IX Международная конференция и Школа ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («КРЕМНИЙ‑2012»), Ст-Петербург, 9-13 июля 2012 г., с. -
Макаренко Л. Ф., Казючиц Н. М., Ластовский С. Б., Гуринович В. А. «Взаимодействие водорода с вакансионными дефектами в облученных кремниевых детекторах ядерных излучений»// Труды XXII Международной конференции «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 9-14 июля 2012 г., ГБНУ «НИИ ПМТ», 2012 г., стр. 485-491. -
Uleckas U., Gaubas E., Makarenko L.F., Vanhellemont J. S. «Study of Radiation Defect Characteristics in Ge Doped Si Structures// Radiation interaction with material and its use in technologies, 14-17 мая 2012 г.., Каунас, Литва. с. 270-273.
|