Коротаев Н. А. Физика компьютеров. | 
| Коротаев, Н. А. Физика компьютеров. Флеш-память: учеб.-метод. пособие / Н. А. Коротаев, К. Э. Образцов, В. И. Попечиц. – Минск : БГУ, 2012. – 44 с. В пособии содержатся основные принципы работы различных видов энергонезависимой полупроводниковой памяти компьютеров: постоянного запоминающего устройства (ПЗУ, ROM), перепрограммируемого ПЗУ (ППЗУ, PROM) и энергонезависимой перезаписываемой памяти: электрически программируемого ПЗУ (ЭППЗУ, EPROM), электрически стираемого программируемого ПЗУ (ЭСППЗУ, EEPROM), флеш-памяти и ферроэлектрической оперативной памяти (FRAM). Особое внимание уделено основам построения и функционирования флеш-памяти, как одной из основных современных технологий полупроводниковой памяти. | | 
Оглавление
| | | ПРЕДИСЛОВИЕ | 3 | | 1 ОТ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА К ФЛЕШ-ПАМЯТИ | 5 | | 1.1 Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ, ROM) | 5 | | 1.2 ПЗУ, программируемое однократно (ПОПЗУ) | 6 | | 1.2.1 ПОПЗУ, программируемые в процессе изготовления (МПОПЗУ) | 6 | | 1.2.2 ПОПЗУ, программируемые у заказчика (PROM) | 7 | | 1.3 Перепрограммируемые ПЗУ (ППЗУ) | 9 | | 1.3.1 ППЗУ, стираемые ультрафиолетовым светом(EPROM) | 9 | | 1.3.2 ППЗУ, стираемые электрически (ЭСППЗУ, EEPROM) | 11 | | 2 ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 15 | | 2.1 Классификация флеш-памяти. | 16 | | 2.2 Организация флеш-памяти | 17 | | 2.3 Однотранзисторная ячейка флеш-памяти | 17 | | 2.4 Двухтранзисторная ячейка флеш-памяти. | 20 | | 2.5 Одноуровневые ячейки (SLC) | 21 | | 2.6 Многоуровневые ячейки(MLC) | 22 | | 2.7 Архитектура флеш-памяти | 23 | | 2.8 Доступ к флеш-памяти | 32 | | 2.9 Корпуса, интерфейс и обозначение микросхем флеш-памяти . | 32 | | 2.10 Преимущества и недостатки флеш-памяти | 35 | | 3 ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ (FRAM) | 37 | | 3.1 Принцип работы памяти FRAM | 37 | | 3.2. Преимущества и недостатки памяти FRAM | 40 | | 4 КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ | 41 | | ЛИТЕРАТУРА | 43 |
|