RUS ENG

ПУБЛИКАЦИИ

  1. David Menichelli, Affolder A., Aleev P.P., …, Makarenko L.F. et al.,  Recent developments of the CERN RD50 collaboration, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Volume 596, Issue 1, 21 2008, Pages 48-52
  2. Makarenko L.F., F.P. Korshunov, S.B. Lastovskii, L.I. Murin, M. Moll,, DLTS Studies of Carbon Related Complexes in Irradiated N- and P-Silicon// Solid State Phenomena, 2009, Vols. 156-158, pp 155-160.
  3. F. Makarenko, S.B. Lastovski, F.P. Korshunov, L.I. Murin, M. Moll, Primary defect transformations in high-resistivity p-type silicon irradiated with electrons at cryogenic temperatures, Physica B: Condensed Matter, Volume 404, Issues 23-24, 15 December 2009, Pages 4561-4564.
  4. Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Формирование и диффузия собственных междоузельных атомов в кристаллах кремния при гидростатическом давлении: квантово-химическое моделирование. Поверхность. – 2009. – № 8. С.1-5.
  5. V. Gusakov, V. Belko, N. Dorozhkin. Formation of Frenkel pairs and diffusion of self-interstitial in Si under normal and hydrostatic pressure: Quantumchemical simulation// Physica B: Condensed Matter, Volume 404, Issues 23-24, 15 December 2009, Pages 4558-4560.
  6. Макаренко Л.Ф. Влияние потенциала изображения на энергию ионизации водородоподобного центра, расположенного вблизи границы раздела двух сред. «Известия Национальной академии наук Беларуси.  Серия физико-математических наук», 2009 г., № 1. с. 39-44.
  7. V. Gusakov, V. Belko, N. Dorozhkin, Formation and Diffusion of Self-Interstitial Atoms in Silicon Crystals under Hydrostatic Pressure: Quantum-Chemical Simulation.. Journal Of Surface Investigation-X-Ray Synchrotron And Neutron Techniques, 2009, V. 3, Is.4, p. 634-638.
  8. Junkes A., Eckstein D., Pintilie I., Makarenko L.F., Fretwurst E. Annealing study of a bistable cluster defect//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Volume 612, Issue 3, 11 January 2010, Pages 525-529.
  9. Tarasenko, A. Reconstruction of a compact object motion in the vicinity of a black hole by its electromagnetic radiation / A. Tarasenko // Physical Review D – 15 June 2010. – V. 81, № 12. – 123005 (10 pages)
  10. J. Metcalfe, Affolder A., Aleev P.P., …, Makarenko L.F. et al., Silicon Detectors for the sLHC, Nuclear Physics B - Proceedings Supplements, Volume 215, Issue 1, 2011, Pages 151-153.
  11. Макаренко Л. Ф., Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Mурин Л И., МоллМ. Особенности диффузии собственных междоузельных атомов в кремнии p-типа// Доклады НАН Беларуси, 2011, т. 55, № 3, с. 49-54.
  12. Affolder A., Aleev P.P., …, Makarenko L.F. et al., Silicon detectors for the sLHC. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment Volume 658, Issue 1, 1 December 2011, Pages 11-16.
  13. Gusakov Vasilii. Coefficient of Diffusion in Crystals of Si1-xGex : Role of Preexponential Factor // Solid State Phenomena. 2011. Vol.178-179, P. 94-99.
  14. В. Е. Гусаков. Квантовохимический анализ особенностей диффузии в кристаллах твердых растворов Si(1-x)Ge(x), // Доклады НАН Беларуси, 2011, N2, С.47-52.
  15. Burenkov, M. Sekowski, V. Belko and H. Ryssel. Angular distributions of sputtered silicon at grazing gallium ion beam incidence // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Volume 272, 1 February 2012, Pages 23-27.
  16. L.F. Makarenko, M. Moll, J.H. Evans-Freeman, S.B. Lastovski, L.I. Murin, F.P. Korshunov Kinetics of self-interstitials reactions in p-type silicon irradiated with alpha particles// Physica B: Condensed Matter, Volume 407, Issue 15, 2012, Pages 3016-3019.
  17. V.P. Markevich, A.R. Peaker, B. Hamilton, S.B. Lastovskii, L.I. Murin, J. Coutinho, A.V. Markevich, M.J. Rayson, P.R. Briddon, B.G. Svensson Reconfigurations and diffusion of trivacancy in silicon// Physica B: Condensed Matter, Volume 407, Issue 15, 2012, Pages 2974-2977.

Список докладов на конференциях с разбивкой по категориям (приглашенный, устный, стендовый):

  1. Л. Ф. Макаренко, Ф. П. Коршунов, С. Б. Ластовский Свойства кластеров дефектов в высокоомных кремниевых диодах, облученных реакторными нейтронами/ XVIIIМеждународное совещание «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 7-12 июля 2008 г. 6 стр.
  2. Л. Ф. Макаренко, Ф. П. Коршунов, С. Б. Ластовский, Хиврич В.И. Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицами/III-я международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники», 25-26 сентября 2008 г., Минск, 2008, с. 109-112.
  3. Н.М. Казючиц, М.С. Русецкий, А.С. Шуленков, В.Н. Казючиц. Применение синтетических монокристаллов алмаза для дозиметрии гамма-излучений. International conference "Radiation interaction with material and its use in technologies 2008", Kaunas, Lithuania 24-27 September, 2008, P. 92-95.
  4. В.И. Белько, Л.Ф. Зимянин, О.М. Кондратьева. Моделирование собственных дефектов в кремнии с использованием параллельной реализации метода молекулярной динамики. Современные информационные компьютерные технологии MCIT-2008. Гродно, Беларусь. 21 – 24 апреля 2008 г., 5 стр.
  5. Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. / III-я международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники», 25-26 сентября 2008 г., Минск, 2008, с. 5 стр.
  6. L.F. Makarenko, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, I. Pintilie, G. Lindström, E. Fretwurst,Problems in evaluation of defect cluster parameters from DLTS measurements of silicon detectors irradiated with neutrons/ 3 rd Workshop on Defect Analysis in Silicon Detectors, Hamburg, 17-19April 17-19, 2008// http://sesam.desy.de/WODEAN/defect.analysis.workshop.april.2008.html
  7. M.K. Bleka, G. Davies, D. Eckstein, E. Fretwurst, E. Gaubas, A. Junkes, P. Kaminskid, K. Kaska, V. Khomemkov, G. Kramberger, J. Lange, G. Lindström, L. Makarenko, D. Menichelli, M. Moll, R. Mori, L. Murin, M. Pawlowski, I. Pintilie, B. Surma, B.G. Svensson, J. Vaitkus, J. Zelazko Quantitative effects of neutron irradiation on silicon radiation detectors/ 12th RD50 - Workshop on Radiation hard semiconductor devices for very high luminosity colliders Ljubljana, Slovenia, 2-4 June 2008/ http://rd50.web.cern.ch/rd50/12th-workshop/
  8. E. Fretwurst, A. Junkes, L. Makarenko, I. Pin tilie Study of cluster related effects in n-irradiated Epi-Do and MCz diodes/ 12th RD50 - Workshop on Radiation hard semiconductor devices for very high luminosity colliders Ljubljana, Slovenia, 2-4 June 2008/ http://rd50.web.cern.ch/rd50/12th-workshop/
  9. Л. Ф. Макаренко, Ф. П. Коршунов, С. Б. Ластовский, Н.М. КазючицВлияние примеси кислорода на электрические свойства кластеров дивакансий в кремнии, облученном нейтронами / V Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе/ 1-4 июля 2008 года, Черноголовка, Тез. докл., ИГ «Граница», с . 120.
  10. Н.М. Казючиц, А.С. Шуленков, Т.Д. Ковалева, Л. Ф. Макаренко, Б.Д. Алехно Реализация светоихлучающих диодов, световодов и фотодиодов на основе кремния / V Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе/ 1-4 июля 2008 года, Черноголовка, Тез. докл., ИГ «Граница», с . 263.
  11. Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Макаренко Л.Ф., Хиврич В.И. «Проявление эффекта дальнодействия в кремниевых структурах, облученных альфа-частицами» VІ Міжнародная школа – конференція «Актуальні проблеми фізики напівпровідників » Дрогобич, Україна, 23 – 26 вересня 2008 року, Тези доповідей, с.202-203.
  12. Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Квантовохимическое моделирование формирования и диффузии собственных междоузельных атомов в напряженных кристаллах кремния // Межд. научн. конф. «Кремний-2008», Россия, Черноголовка, 1-4 июля 2008 г
  13. Макаренко Л.Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Мурин Л.И., Молл М. Образование и отжиг дефектов решетки в кремнии p-типа, облученном электронами при криогенных температурах // Труды 8-ой Межднар. Конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом», 23–25 сентября 2009 года, Минск, Беларусь, 2009, с. 101-103.
  14. Макаренко Л. Ф., Казючиц Н.М., Латушко Я.И., Скуратов В.А., Голубев Н.Ф. Применение емкостных методов для изучения дефектообразования в кристаллах кремния, облученных тяжелыми ионами/ Труды 8-ой Межднар. Конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом», 23–25 сентября 2009 года, Минск, Беларусь, 2009, с.. 98-100. Стендовый доклад.
  15. Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Моделирование формирования кластеров собственных дефектов в облученном кремнии: кинетический метод Монте-Карло // 8-ая Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом», Минск, 26-28 сентября 2009 г. С.47-51. Стендовый доклад.
  16. Гусаков В.Е., Белько В.И., Дорожкин Н.Н. Influence of hydrostatic pressure on formation of Frenkel pairs and diffusion of self-interstitial in Si: quantum chemical simulation // Сборник докладов международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела», ФТТ-2009, Минск, 20-23 октября 2009 г., С.6-8.
  17. Н.М. Казючиц, М.С. Русецкий, А.С. Шуленков, В.М. Кукушкин, С.С. Мартынов, В.С. Хрунов, Ю.В. Тузов, Г.В. Гацкевич, Д.С. Кандыбович Применение синтетического алмазного детектора для измерения параметров радиационного поля радиотерапевтических установок // Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids, (ВИТТ-2009): Материалы 8-й Международной конференции ", Минск, 23-25 сентября 2009 г. – Мн.: БГУ, 2009. - С. 326-328. Стендовый доклад.
  18. Л.Ф. Макаренко , А.В. Киндяев, Расчет энергетического спектра электрона в поле кулоновского центра, расположенного в полупространстве// Вторая международная научная конференция «Математическое моделирование и дифференциальные уравнения»: Тез. докл. Ч. 1. Минск, 24 -28 августа 2009 г. – Мн.: Институт математики НАН Беларуси, 2009. – С. 61-62.
  19. L.F. Makarenko, S.B. Lastovski, F.P. Korshunov, L.I. Murin, M. Moll Primary defect transformations in high-resistivity p-type silicon irradiated with electrons at cryogenic temperatures// 25th International Conference on Defects in Semiconductors, July 20-24, 2009, St. Petersburg, Russia, p. 175. Стендовый доклад.
  20. L.F. Makarenko, J. H. Evans-Freeman, S.B. Lastovski, I. Pintilie, V.A.Skuratov Use of dlts measurements to determine defect cluster parameters in ion and neutron irradiated semiconductors // 25th International Conference on Defects in Semiconductors, July 20-24, 2009, St. Petersburg, Russia, p. 203. Стендовый доклад.
  21. L.F. Makarenko, S.B. Lastovski, L.I. Murin, M. Moll Interstitial defect reactions in p-type silicon irradiated at different temperatures, 15th RD50 Workshop, November 16-18 2009, Geneva, http://indico.cern.ch/conferenceOtherViews.py?view=cdsagenda&confId=65918
  22. V. E. Gusakov, V. I. Belko, N. N. Dorozhkin. Formation of Frenkel pairs and diffusion of self-interstitial in Si under normal and hydrostatic pressure: quantum chemical simulation // 25th International Conference on Defects in Semiconductors. St Petersburg, Russia, July 20–24, 2009 г., С. 184-185.
  23. Белько В.И. Моделирование эволюции собственных дефектов в кремнии // Вторая международная научная конференция «Математическое моделирование и дифференциальные уравнения»: Тез. докл. Ч. 1. Минск, 24 -28 августа 2009 г.  – С. 25-27.
  24. Макаренко Л. Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С. Б., Мурин Л.И., Карась В.И., Молл М. Обнаружение пар Френкеля и собственных междоузельных атомов в кремнии p-типа, облученном электронами //Международное совещание «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 7-12 июля 2010 г., с. 619-625.
  25. Малыщиц В.В., Сокольский А.А., Пицевич Г.А., Макаренко Л.Ф., Алгоритм численного решения одномерного стационарного уравнения Шредингера и его применение // II Международная научно-практическая конференция «Современные информационные компьютерные технологии (mcIT-2010)». Гродно, Беларусь. 26-28 апреля 2010 г. (6 стр).
  26. Малыщиц В.В., Макаренко Л.Ф., Пицевич А.Г., Сокольский А.А.Эффективный алгоритм численного решения одномерного уравнения Шедингера и его применение в образовательном процессе // Информатизация образования — 2010: педагогические аспекты создания информационно-образовательной среды = Informatization of education — 2010: Pedagogical aspects of the development of information educational environment: материалы междунар. науч. конф., Минск, 27–30 окт. 2010 г. / редкол.: И.А. Новик (отв. ред.) [и др.]. — Минск: БГУ, 2010. — 591 с. — 14–18 С. 
  27. Макаренко Л. Ф., Молл М., Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Мурин Л. И. Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном бором //Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 сент. 2010 г. / редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2010. – 242 с. – (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). – С. 161-164.
  28. Кондратьева О.М. Параллельная реализация алгоритма молекулярной динамики при моделировании в физике твердого тела // II Международная научно-практическая конференция «Современные информационные компьютерные технологии (mcIT-2010)». Гродно, Беларусь. 26 – 28 апреля 2010 г. (3 стр).
  29. В.Е. Гусаков, В.И. Белько, Н.Н. Дорожкин. Потенциал EDIP для германия: параметризация и моделирование точечных дефектов методом молекулярной динамики // Материалы IV международной научной конференции «Материалы и структуры современной электроники» Минск, БГУ, 23-24 сентября 2010 г. c. 23-25.
  30. Makarenko L.F.,  Interstitial defect behavior in high resistivity p-type Silicon irradiated with electrons at cryogenic temperatures. Workshop on Defect Analysis in Silicon Detectors (WODEAN), WODEAN, NIMP Bucharest, May 12-15, 2010// http://www.infim.ro/wodean.html.
  31. Makarenko L.F., DLTS and C-V characterization of defects in n- and p-type silicon implanted with heavy ions. Workshop on Defect Analysis in Silicon Detectors (WODEAN), May 12-15, WODEAN, NIMP Bucharest, 13/14 May 2010// http://www.infim.ro/wodean.html.
  32. В.А. Скуратов, Н.М. Казючиц, Я.И. Латушко, Л.Ф. Макаренко, С.Б. Ластовский «Дефектообразование в кремнии, имплантированном ионами инертных газов с энергией мэв/нуклон // Тезисы докладов VII Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Нижний Новгород, 6-9 июля 2010 г., Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета, 2010. с. 167. . Стендовый доклад.
  33. L.F. Makarenko, M. Moll, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, L.I. Murin «Self-interstitial reactions in electron and ion irradiated silicon» //Тезисы докладов VII Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Нижний Новгород, 6-9 июля 2010 г., Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета, 2010. с. 22.
  34. Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Поиск параметров эмпирического потенциала для германия в функциональной форме EDIP // 4 Международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники» БГУ, г.Минск, сентябрь 2010 г. 
  35. Alex Burenkov, Matthias Sekowski, Viktor Belko, Heiner Ryssel. Angular distributions of sputtered silicon at grazing gallium ion beam incidence //  17th International Conference on Ion Beam Modification of Materials. Montreal, Canada, August 22-27, 2010. http://ibmm.lps.umontreal.ca/ocs/index.php/IBMM/IBMM2010/paper/view/249
  36. Макаренко Л. Ф., Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Mурин Л И.Закономерности образования радиационных дефектов, связанных с междоузельным углеродом в облученных кремниевых структурах// Международное совещание «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 23-27 августа 2011 г.
  37. Ластовский С.Б., Маркевич В.П., Мурин Л.И.Трансформация электрически активных радиационных дефектов в сплавах Si1-xGex n-типа, облученных быстрыми электронами при 80 К// Международное совещание «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 23-27 августа 2011 г.
  38. Makarenko L.F., Lavrova O.A. Shallow donor states near semiconductor interface//Международная конференция «Междисциплинарные исследования и технологии будущего», 16 – 18 мая 2011 г., Минск, Беларусь, Программа и тезисы докладов, с. 21.
  39. Макаренко Л. Ф., Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Mурин Л. И., МоллМ.Кинетика образования комплекса междоузельный углерод-междоузельный кислород в облученном кремнии n- и р-типа// VIII Международная конференция и VII Школа ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («КРЕМНИЙ‑2011»)
  40. L.F. Makarenko, M. Moll, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, L.I. Murin Kinetics of self-interstitials reactions in p-type silicon irradiated with alpha particles// 26th International Conference on Defects in Semiconductors, Nelson, New Zeeland, 17-22 july 2011, p.
  41. Макаренко Л.Ф., Лаврова О.А., Левчук Е.А. Состояния мелких доноров вблизи границы МОП-структуры, Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2011): Сборник докладов Международной научной конференции (Минск 18-21 октября 2011 г.), в 3 т., ред. колл.: Н.М. Олехнович (пред.) и др. – Мн.: А.Н. Вараксин, 2011. – Том 1, с. 91-93.
  42. Л.Ф. Макаренко, С.Б. Ластовский, Л.И. Мурин, Ф.П. Коршунов, Н.М. Казючиц, Я.И. Латушко Характеристики междоузельных реакций в кремнии и кремний-германиевых сплавах, облученных альфа-частицами / Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2011): Материалы 9-й Международной конференции ", Минск, 20-22 сентября 2011 г. – Мн.: Издательский центр БГУ, 2011. - с. 141-143.
  43. .М. Казючиц, Е.В. Наумчик, В.Н. Казючиц, М.С. Русецкий, Л.Ф. Макаренко, А.С. Шуленков. Основные характеристики СТМ Алмазот и детекторов на его основе / Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2011): Материалы 9-й Международной конференции ", Минск, 20-22 сентября 2011 г. – Мн.: Издательский центр БГУ, 2011. - с. 412-414.
  44. Vasilii Gusakov, J. Gusakova, V. P. Markevich, Quantumchemical analysis of the formation energy and migration barrier of intrinsic point defects in silicon nanowires // Proc. of Int. Conf. Nanomeeting-2011, 24-27 May 2011, Minsk, Belatus. – P. 142-145.
  45. V. P. Markevich, A. R. Peaker, L. I. Murin, S. B. Lastovskii, Diffusion of small vacancy clusters and their interaction with oxygen atoms in silicon// Proc. of Int. Conf. Nanomeeting-2011, 24-27 May 2011, Minsk, Belatus. – P. 169-172.
  46. Белько В.И, Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Моделирование начальных стадий формирования кластеров собственных дефектов в кристалле кремния // Материалы V Международной научной конференции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА», Минск, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, 18-21 октября 2011 г.- T.2. - С.274 -276
  47. Гусаков В. Е. Белько В.И Дорожкин Н.Н. Квантовохимическое исследование начальных стадий роста нанокластеров германия на свободной поверхности кремния // Материалы V Международной научной конференции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА», Минск, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, 18-21 октября 2011 г. T.1. - С.198-200
  48. В.И. Белько, В.Е. Гусаков, Н.Н. Дорожкин. Разномасштабное моделирование формирования кластеров собственных дефектов в кремнии // Материалы 9-ой Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом" (ВИТТ-2011). Минск 20-22 сентября 2011 г. С.297-299.
  49. Белько В.И, Бородин В.А., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Моделирование роста вакансионных комплексов: комбинированный алгоритм, включающий метод молекулярной динамики и кинетический метод Монте-Карло // Международная научная конференция «Кремний-2011» (Москва, 05-08 июля 2011 г., НИТУ «МИСиС»). Стендовый доклад.
  50. Макаренко Л.Ф., Ластовский С.Б., Абросимов Н.В., Казючиц Н.М., Гуринович В.А. Свойства дефектов междоузельного типа в кремний-германиевых сплавах, облученных альфа-частицами // IX Международная конференция и Школа ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («КРЕМНИЙ‑2012»), Ст-Петербург, 9-13 июля 2012 г., с.
  51. Макаренко Л. Ф., Казючиц Н. М., Ластовский С. Б., Гуринович В. А. «Взаимодействие водорода с вакансионными дефектами в облученных кремниевых детекторах ядерных излучений»// Труды XXII Международной конференции «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 9-14 июля 2012 г., ГБНУ «НИИ ПМТ», 2012 г., стр. 485-491.
  52. Uleckas U., Gaubas E., Makarenko  L.F., Vanhellemont J. S. «Study of Radiation Defect Characteristics in Ge Doped Si Structures// Radiation interaction with material and its use in technologies, 14-17 мая 2012 г.., Каунас, Литва. с. 270-273.
Другие сайты факультетаСтруктураОбразованиеМагистратураНаукаСтудентуВнеучебная деятельностьСистема
менеджмента
качества (СМК)
ОлимпиадыПравовые акты
БГУ, приказы
АбитуриентуШкольникуИсторияИздания факультетаПрофбюро ФПМИПерсональные страницыФотогалереи Центр
Компетенций
по ИТ
Газета ФПМыНаши партнеры